GB/T11073-1989硅片径向电阻率变化的测量方法

本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距。

标准号：GB/T 11073-1989

标准名称：硅片径向电阻率变化的测量方法

英文名称：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1989-03-31

实施日期：1990-02-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：2904030

替代以下标准：被GB/T 11073-2007替代

起草单位：峨嵋半导体材料研究所

归口单位：中国有色金属工业协会

发布单位：国家技术监督局