SJ/T10482-1994半导体中深能级的瞬态电容测试方法

本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。本标准适用于测量硅、砷化稼等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。

标准号：SJ/T 10482-1994

标准名称：半导体中深能级的瞬态电容测试方法

英文名称：Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques

标准类型：行业标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：1994-04-11

实施日期：1994-10-01

中国标准分类号（CCS）：能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理

起草单位：电子工业部第四十六研究所

归口单位：电子工业部标准化研究所

发布单位：电子工业部