SJ/T11398-2009功率半导体发光二极管芯片技术规范

2025-06-28

主要规定了功率半导体发光二极管芯片材料、尺寸、键合区、标志、外观质量、绝对最大额定值和光电特性、质量保证规定、交货准备、目检、静电放电敏感度测试和分级方法等。

标准号:SJ/T 11398-2009

标准名称:功率半导体发光二极管芯片技术规范

英文名称:Technical specification for power light-emitting diode chips

标准类型:行业标准

标准性质:推荐性

标准状态:现行

发布日期:2009-11-17

实施日期:2010-01-01

中国标准分类号(CCS):电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L45微波、毫米波二、三极管

国际标准分类号(ICS):电子学>>31260光电子学、激光设备

起草单位:中国电子科技集团公司第十二研究所、厦门三安电子有限公司、厦门华联电子有限公司

归口单位:工业和信息化部电子工业标准化研究所

发布单位:工业和信息化部

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