YS/T23-1992硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法

本标 准 规 定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法本标 准 适 用于在<111>,tloo>和(110)晶向的硅单晶衬底仁生长的硅外延层厚度的测缝外延 层 中 应存在着发育完整的堆垛层错，其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的)，或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的)。测量范围为2^75 um

标准号：YS/T 23-1992

标准名称：硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法

标准类型：行业标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1992-03-09

实施日期：1993-01-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：被YS/T 23-2016代替

起草单位：上海市有色金属总公司半导体材料i

发布单位：中国有色金属工业总公