YS/T23-2016硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法

本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。本标准适用于在<111>、<100>和<110>晶向的硅单晶衬底上生长的2μm～120μm硅外延层厚度的测量。

标准号：YS/T 23-2016

标准名称：硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法

英文名称：Test method for thickness of epitaxial layers—Stacking fault size

标准类型：行业标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2016-04-05

实施日期：2016-09-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>77040金属材料试验

替代以下标准：替代YS/T 23-1992

起草单位：南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司

归口单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)

发布单位：工业和信息化部