GB/T35003-2018非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。 本标准适用于电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、快闪存储器（Flash）以及内嵌上述存储器的集成电路

标准号：GB/T 35003-2018

标准名称：非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

英文名称：Test methods for endurance and data retention of non-volatile memory

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2018-03-15

实施日期：2018-08-01

中国标准分类号（CCS）：电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路

国际标准分类号（ICS）：电子学>>31200集成电路、微电子学

起草单位：中国电子技术标准化研究院、上海复旦微电子集团股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、北京兆易创新科技股份有限公司、深圳国微电子有限公司、成都华微电子科技有限公司

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

发布单位：国家质量监督检验检疫