GB/T30868-2014碳化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法

本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。
标准号:GB/T 30868-2014
标准名称:碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
英文名称:Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers—Chemically etching
标准类型:国家标准
标准性质:推荐性
标准状态:现行
发布日期:2014-07-24
实施日期:2015-02-01
中国标准分类号(CCS):冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料
国际标准分类号(ICS):电气工程>>29045半导体材料
起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料
发布单位:国家质量监督检验检疫
