GB/T30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30mm、厚度为013mm~1mm 的碳化硅单晶片

标准号：GB/T 30867-2014

标准名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

英文名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2014-07-24

实施日期：2015-02-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料

发布单位：国家质量监督检验检疫