GB/T30654-2014Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法

本标准规定了利用高分辨 X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法。本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO 等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga,In,Al)N 单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可参考本标准。

标准号：GB/T 30654-2014

标准名称：Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法

英文名称：Test method for lattice constant of Ⅲ-nitride epitaxial layers

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2014-12-31

实施日期：2015-09-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>7704020金属材料无损检测

起草单位：中国科学院半导体研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国

发布单位：国家质量监督检验检疫