GB/T30653-2014Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法原理、仪器、测试环境、样品、测试、测试结果的分析、精密度以及测试报告。 本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。

标准号：GB/T 30653-2014

标准名称：Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

英文名称：Test method for crystal quality of Ⅲ-nitride epitaxial layers

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2014-12-31

实施日期：2015-09-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：冶金>>金属材料试验>>7704020金属材料无损检测

起草单位：中国科学院半导体研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国

发布单位：国家质量监督检验检疫