GB/T26066-2010硅晶片上浅腐蚀坑检测报告的测试方法

本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测<111>或<100>晶向的p型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0001Ω·cm。

标准号：GB/T 26066-2010

标准名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

英文名称：Practice for shallow etch pit detection on silicon

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2011-01-10

实施日期：2011-10-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/T

发布单位：国家质量监督检验检疫