GB/T26068-2010硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。

标准号：GB/T 26068-2010

标准名称：硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

英文名称：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：2011-01-10

实施日期：2011-10-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29045半导体材料

替代以下标准：被GB/T 26068-2018代替

起草单位：有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司

归口单位：全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC

发布单位：国家质量监督检验检疫